Relaxation-free strained SiGe with super anneal for 32nm high performance PMOS and beyond
Ming H. Yu, J. H. Li, H. H. Lin, C. H. Chen, K. C. Ku, C. F. Nieh, H. Hisa, Y. M. Sheu, C. W. Tsai, Y. L. Wang, H. Y. Chu, Huang-Chung Cheng, T. L. Lee, S. C. Chen, M. S. Liang
研究成果: Conference contribution › 同行評審