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An Analytical Threshold-Voltage Model of Trench-Isolated MOS Devices with Nonuniformly Doped Substrates
Steve S. Chung
電子工程學系
研究成果
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同行評審
35
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「An Analytical Threshold-Voltage Model of Trench-Isolated MOS Devices with Nonuniformly Doped Substrates」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Chemical Compounds
Analytical models
Capacitance
Computer simulation
Doping (additives)
Dynamic random access storage
MOS devices
Networks (circuits)
Oxides
Poisson equation
Substrates
Threshold voltage
Transistors
Engineering & Materials Science
Analytical models
Capacitance
Computer simulation
Doping (additives)
Dynamic random access storage
MOS devices
Networks (circuits)
Oxides
Poisson equation
Substrates
Threshold voltage
Transistors