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An Analytical Threshold-Voltage Model of Trench-Isolated MOS Devices with Nonuniformly Doped Substrates
Steve S. Chung
電子工程學系
研究成果
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同行評審
35
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「An Analytical Threshold-Voltage Model of Trench-Isolated MOS Devices with Nonuniformly Doped Substrates」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Chemical Compounds
MOS devices
Threshold voltage
Substrates
Poisson equation
Oxides
Dynamic random access storage
Doping (additives)
Capacitance
Analytical models
Transistors
Computer simulation
Networks (circuits)
Engineering & Materials Science
MOS devices
Threshold voltage
Substrates
Poisson equation
Dynamic random access storage
Doping (additives)
Oxides
Capacitance
Analytical models
Transistors
Computer simulation
Networks (circuits)