每年專案
個人檔案
研究專長
半導體元件物理、深次微米前段元件製程、奈米元件製作、薄膜電晶體、超薄絕緣層製備、半導體晶圓潔淨技術
經歷
1992/7-2001/8 國科會國家毫微米元件實驗室副研究員、研究員
1997-2001 國立清華大學工程與系統科學學系兼任副、合聘教授
2001/8-2002/1 國立交通大學電子物理副教授
2002/-2004 國家奈米元件實驗室副主任
2002/2- 迄今 國立交通大學電子物理教授
2009-2011 國立交通大學電子物理系主任
教育/學術資格
PhD, 國立交通大學
外部位置
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- 19 類似的個人檔案
網路
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專案
利用堆疊型閘極全環繞技術結合鉿基鐵電材料開發應用於以人工神經網路為基礎之邊緣運算低功耗元件
1/08/20 → 31/07/21
研究計畫: Ministry of Science and Technology
利用堆疊型閘極全環繞技術結合鉿基鐵電材料開發應用於以人工神經網路為基礎之邊緣運算低功耗元件
1/08/22 → 31/07/23
研究計畫: Ministry of Science and Technology
利用堆疊型閘極全環繞技術結合鉿基鐵電材料開發應用於以人工神經網路為基礎之邊緣運算低功耗元件
1/08/21 → 31/07/22
研究計畫: Ministry of Science and Technology
研究成果
Characteristics of Poly-Si Junctionless FinFETs with HfZrO Using Forming Gas Annealing
Chung, S. T., Lee, Y. J. & Chao, T. S., 1 一月 2020, 於 : IEEE Transactions on Nanotechnology. 19, p. 390-396 7 p., 9091928.研究成果: Article
Effect of Seed Layer on Gate-All-Around Poly-Si Nanowire Negative-Capacitance FETs with MFMIS and MFIS Structures: Planar Capacitors to 3-D FETs
Lee, S. Y., Chen, H. W., Shen, C. H., Kuo, P. Y., Chung, C. C., Huang, Y. E., Chen, H. Y. & Chao, T. S., 二月 2020, 於 : IEEE Transactions on Electron Devices. 67, 2, p. 711-716 6 p., 8951114.研究成果: Article
Effects of Forming Gas Annealing and Channel Dimensions on the Electrical Characteristics of FeFETs and CMOS Inverter
Sung, P. J., Su, C. J., Lo, S. H., Hsueh, F. K., Lu, D. D., Lee, Y. J. & Chao, T. S., 1 一月 2020, 於 : IEEE Journal of the Electron Devices Society. 8, p. 474-480 7 p., 9063644.研究成果: Article
開啟存取
Fabrication of Vertically Stacked Nanosheet Junctionless Field-Effect Transistors and Applications for the CMOS and CFET Inverters
Sung, P-J., Chang, S-W., Kao, K-H., Wu, C-T., Su, C-J., Cho, T-C., Hsueh, F-K., Lee, W-H., Lee, Y-J. & Chao, T-S., 23 七月 2020, 於 : Ieee Transactions On Electron Devices. 67, 9, p. 3504-3509 6 p.研究成果: Article
Nitride Induced Stress Affecting Crystallinity of Sidewall Damascene Gate-All-Around Nanowire Poly-Si FETs
Shen, C. H., Chen, W. Y., Lee, S. Y., Kuo, P. Y. & Chao, T. S., 1 一月 2020, 於 : IEEE Transactions on Nanotechnology. 19, p. 322-327 6 p., 9044627.研究成果: Article