每年專案
個人檔案
研究專長
氮化鎵及碳化矽功率半導體, 5nm以下半導體材料及元件設計,可靠度評估及失效機制分析,人工智慧於半導體元件設計及可靠度評估
經歷
2011/6 ~ 2016/7 比利時imec博士研究員
2016/1 ~ 2016/3 美國IBM訪問學者
2016/8 ~ 2017/1 比利時imec研究科學家
2017/2 ~ 迄今 國立交通大學國際半導體產業學院助理教授
教育/學術資格
PhD, KU Leuven
外部位置
指紋
查看啟用 Tian-Li Wu 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
- 12 類似的個人檔案
網路
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專案
- 5 已完成
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下世代高可靠度氮化鎵電子元件:矽製程兼容超越1000V氮化鎵功率元件開發、應用於太空惡劣環境氮化鎵功率元件探索及整合機器學習加速元件特性及可靠度優化(2/5)
1/02/20 → 31/01/21
研究計畫: Ministry of Science and Technology
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下世代高可靠度氮化鎵電子元件:矽製程兼容超越1000V氮化鎵功率元件開發、應用於太空惡劣環境氮化鎵功率元件探索及整合機器學習加速元件特性及可靠度優化(1/5)
1/02/19 → 31/01/20
研究計畫: Ministry of Science and Technology
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研究成果
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A Novel Physics-Based Approach to Analyze and Model E-Mode p-GaN Power HEMTs
Modolo, N., Tang, S. W., Jiang, H. J., De Santi, C., Meneghini, M. & Wu, T. L., 四月 2021, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 68, 4, p. 1489-1494 6 p., 9096568.研究成果: Article › 同行評審
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Demonstration of p-GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with an Indium-Tin-Oxide Gate Electrode
Chang, C. Y., Wang, C. S., Wang, C. Y., Shen, Y. L., Wu, T. L., Kuo, W. H., Lin, S. F. & Huang, C. F., 2021, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 9, p. 2-5 4 p., 9223718.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
Fully Transparent AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Fabricated with Indium-Tin-Oxide Electrodes
Chang, C. Y., Hsu, C. T., Shen, Y. L., Wu, T. L., Kuo, W. H., Lin, S. F. & Huang, C. F., 二月 2021, 於: Ieee Electron Device Letters. 42, 2, p. 144-147 4 p., 9310336.研究成果: Article › 同行評審
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Investigation of the passivation-induced VTH shift in p-GaN HEMTs with Au-free gate-first process
Tang, S. W., Huang, Z. H., Chen, Y. C., Wu, C. H., Lin, P. H., Chen, Z. C., Lu, M. H., Kao, K. H. & Wu, T. L., 七月 2021, 於: Microelectronics Reliability. 122, 114150.研究成果: Article › 同行評審
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Artificial Neural Network-Based (ANN) Approach for Characteristics Modeling and Prediction in GaN-on-Si Power Devices
Kutub, S. B., Jiang, H. J., Chen, N. Y., Lee, W. J., Jui, C. Y. & Wu, T. L., 九月 2020, Proceedings of the 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2020. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 529-532 4 p. 9170110. (Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs; 卷 2020-September).研究成果: Conference contribution › 同行評審