每年專案
個人檔案
研究專長
元件物理、奈米元件技術、薄膜元件技術、ULSI製程、元件可靠性分析
經歷
2007/08-迄今 國立交通大學電子工程學系/電子研究所教授
2010/01-2012/12 國立交通大學電子工程學系人才培訓中心主任
2012/08-2015/07 國立交通大學電機學院奈米中心主任
教育/學術資格
PhD, National Chiao Tung University
外部位置
指紋
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網路
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專案
研究成果
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A novel photoresist-based film-profile engineering scheme for fabricating double-gated, recess-channel IGZO thin-film transistors
Huang, Y. A., Peng, K. P., Meng, Y. C., Su, C. J., Li, P. W. & Lin, H. C., 1 四月 2020, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 59, SG, 6 p., SGGJ01.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
A Unique Approach to Generate Self-Aligned T-Gate Transistors in Counter-Doped Poly-Si with High Etching Selectivity and Isotropy
Huang, Y. A., Liang, C. Y., Peng, K. P., Chen, K. M., Huang, G. W., Li, P-W. & Lin, H-C., 三月 2020, 於: IEEE Electron Device Letters. 41, 3, p. 397-400 4 p., 8977479.研究成果: Article › 同行評審
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Characteristics of Dual-gated Poly-Si Junctionless Nanowire Transistors with Asymmetrical Source/drain Offsets
Chang, Y. T., Wu, R. J., Peng, K. P., Su, C. J., Li, P-W. & Lin, H-C., 六月 2020, 2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2020. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 57-58 2 p. 9131654. (2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2020).研究成果: Conference contribution › 同行評審
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Coordinated and Simultaneous Formation of Paired Ge Quantum Dots by Thermal Oxidation of Designer Poly-SiGe Spacer Structures
Chen, H. Y., Peng, K. P., George, T., Lin, H. C. & Li, P. W., 2020, 於: IEEE Transactions on Nanotechnology. 19, p. 436-438 3 p., 9088228.研究成果: Article › 同行評審
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Design and Fabrication of Self-Organized Ge Gate/SiO2/Si1-xGex-nanoshell with Raised Source/Drain for Advanced Transistors
Wang, I. H., Peng, K. P., Lin, H-C. & Li, P-W., 四月 2020, 4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 3 p. 9117850. (4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Proceedings).研究成果: Conference contribution › 同行評審