林炯源

副教授

每年研究成果

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個人檔案

超大密度磁性儲存、奈米傳導、半導體量子結構、太陽能電池、奈米記憶體材料

2007/07~迄今國立交通大學電子工程學系/電子研究所教授

2014/08~迄今國立交通大學學務處課外活動組組長

PhD, Boston University

查看啟用 Chiung-Yuan Lin 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。

國家層面的近期外部共同作業。通過按一下圓點深入探索詳細資料。

Universal nonequilibrium I-V curve near the two-channel Kondo-Luttinger quantum critical point
Lin, C-Y., Chang, Y. Y., Rylands, C., Andrei, N. & Chung, C-H., 28 八月 2020, 於: Physical Review B. 102, 7, 14 p., 075145.
研究成果: Article › 同行評審
Activated layered magnetism from bulk TiN
Lin, C. Y., Yang, S. W., Ou, K. L. & Jones, B. A., 24 十二月 2019, 於: Physical Review Materials. 3, 12, 124412.
研究成果: Article › 同行評審
First Experimental Demonstration and Mechanism of Abnormal Palladium Diffusion Induced by Excess Interstitial Ge
Chou, C. H., Shih, A. S., Yu, S. C., Lin, Y. H., Tsai, Y. H., Lin, C-Y., Yeh, W. K. & Chien, C-H., 1 十一月 2018, 於: IEEE Electron Device Letters. 39, 11, p. 1632-1635 4 p., 8470143.
研究成果: Article › 同行評審
A study on NiGe-contacted Ge n⁺/p Ge shallow junction prepared by dopant segregation technique
Tsui, B-Y., Shih, J. J., Lin, H. C. & Lin, C-Y., 1 五月 2015, 於: Solid-State Electronics. 107, p. 40-46 7 p., 6755.
研究成果: Article › 同行評審
11 引文斯高帕斯（Scopus）
First-principles calculations on the schottky barrier height of the NiGe/N-type Ge contact with dopant segregation
Lin, H. C., Lin, C-Y., Shih, C. J. & Tsui, B-Y., 1 一月 2014, 2014 International Symposium on Next-Generation Electronics, ISNE 2014. IEEE Computer Society, 6839344. (2014 International Symposium on Next-Generation Electronics, ISNE 2014).
研究成果: Conference contribution › 同行評審