崔秉鉞

教授

電子研究所

https://orcid.org/0000-0003-2963-8211

電話03-5731570
電子郵件bytsui@nctu.edu.tw
網站http://www.ee.nctu.edu.tw/People/Professor/individual.php?index=37

每年研究成果

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個人檔案

研究專長

半導體物理與元件、積體電路製程、電性量測分析

經歷

1992/10~1997/07 工研院電子所身次奈米技術組正工程師

1999/08~迄今國立交通大學電子工程學系/電子研究所教授

2007/08~2012/07 國立交通大學奈米中心主任

教育/學術資格

PhD, 國立交通大學

外部位置

指紋

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1 使用中
27 已完成

碳化矽單晶片功率系統平台-總計畫暨子計畫一：碳化矽互補式金氧半場效應電晶體元件與積體電路製程技術(1/2)
Tsui, B.
1/05/20 → 30/04/21
研究計畫: Ministry of Science and Technology
碳化矽單晶片功率系統平台-總計畫暨子計畫一：碳化矽互補式金氧半場效應電晶體元件與積體電路製程技術(2/2)
Tsui, B.
1/05/19 → 30/04/20
研究計畫: Ministry of Science and Technology
碳化矽單晶片功率系統平台-大型儀器(總計畫)-碳化矽蝕刻系統(碳化矽互補式金氧半場效應電晶體元件與積體電路製程技術)
Tsui, B.
1/05/18 → 30/04/19
研究計畫: Ministry of Science and Technology
碳化矽單晶片功率系統平台-總計畫暨子計畫一：碳化矽互補式金氧半場效應電晶體元件與積體電路製程技術(1/2)
Tsui, B.
1/05/18 → 30/04/19
研究計畫: Ministry of Science and Technology
國立交通大學貴重儀器使用中心服務計畫
Tsui, B.
1/12/17 → 30/04/19
研究計畫: Ministry of Science and Technology

101 Article
49 Conference contribution
11 Paper
6 Patent
更多

Degradation Mechanism of Ge N⁺-P Shallow Junction with Thin GeSn Surface Layer
Tsui, B. Y., Liao, H. H. & Chen, Y. J., 三月 2020, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 67, 3, p. 1120-1125 6 p., 8964438.
研究成果: Article › 同行評審
Demonstration of CMOS Integration with High-Voltage Double-Implanted MOS in 4H-SiC
Jiang, J. Y., Hung, J. C., Lo, K. M., Huang, C. F., Lee, K. Y. & Tsui, B. Y., 2020, (Accepted/In press) 於: Ieee Electron Device Letters.
研究成果: Article › 同行評審
Digital Logic and Asynchronous Datapath with Heterogeneous TFET-MOSFET Structure for Ultralow-Energy Electronics
Hung, J. H., Wang, P. Y., Lo, Y. C., Yang, C. W., Tsui, B. Y. & Yang, C. H., 2020, (Accepted/In press) 於: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits.
研究成果: Article › 同行評審

開啟存取
1 引文斯高帕斯（Scopus）
Extraction of Ultra-Low Contact Resistivity by End-Resistance Method
Tsui, B-Y., Lee, Y. H., Wu, D. Y., Lee, Y. J. & Li, M. Y., 五月 2020, 2020 IEEE 33rd International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2020 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 9107910. (IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures; 卷 2020-May).
研究成果: Conference contribution › 同行評審
Mechanism of Degradation of Ge NMOSFET with Channel Ion Implantation and Its Recovery
Tsui, B. Y., Chang, Y. C. & Chen, Y. J., 八月 2020, 2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 74-75 2 p. 9203673. (2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020).
研究成果: Conference contribution › 同行評審