導電性材料活性離子蝕刻系統/複晶矽活性離子蝕刻系統

    Kuan-Neng Chen (Manager), 進章 胡 (Operator) & 正維 李 (Operator)

設備/設施: Equipment

  • 地點

    固態電子系統大樓 1樓116實驗室

    Taiwan

設備詳細資料

Description

功能:
蝕刻複晶矽、單晶矽等材料
(試片不得含有摻雜及金屬)
重要規格: (1) 包含兩個真空邦浦、一個真空室,可選擇以手動或自動模式操作. (2) RF產生器最大可輸出300瓦,頻率13.56MHz,本蝕刻系統有活性離子蝕刻(有方向性)可供選擇,真空室用途分述如下:真空室:可進入CF4、PO2、SF6、CHF3等氣體蝕刻複晶矽、單晶矽等材料
設備相關照片

詳細資料

名字SAMCO RIE-10N
擷取日期1/09/95
生產商 Samco Inc.

指紋

探索使用此設備的研究領域。這些標籤是根據相關成果而產生。共同形成了獨特的指紋。