HDP-RIE

功能： (1) 乾式蝕刻，以蝕刻Al材料為主
重要規格： (1) 使用氣體包含BCl3、Cl2、CF4、CHF3、Ar、O2、SF6，ICP RF最大功率900W，Bias RF最大功率300W，以He gas系統冷卻，4" wafer為主。