Atomic Layer Chemical Vapor Deposition System (ALD)

重要規格： (1) 可使用晶圓尺寸：破片至8吋. (2) 雙腔體：Chamber A－前段介電層薄膜沉積，Chamber B－後段介電層和金屬薄膜沉積. (3) 可進行熱沉積(thermal deposition)及電漿輔助沉積(plasma-enhanced deposition) (4) 使用氣體：Ar、N2、O2、NH3、H2、CF4。

服務項目： (1) 沉積Al2O3、HfO2、TiN、TiO2薄膜。